Téma 4

Tranzistory řízené elektrickým polem a jejich použití v elektronických obvodech, Princip JFET tranzistoru a jeho vlastnosti, Princip tranzistoru MOSFET s difundovaným a indukovaným kanálem. MOSFET tranzistory s kanálem N a kanálem P. Aplikace unipolárních tranzistorů v zesilovačích signálu a spínacích prvcích. 

Literatura:

A.Frohn, W. Oberthur, H. Siedler, M. Wiemer, P. Zastrow, Elektronika-Polovodičovésoučástkya základnízapojení, BEN Praha 2006., kapitola 3, str. 186-241.

Doplňující literatura:

Jens Peer Slengl, Jeno Tihanyi, Výkonové tranzistory MOSFET, BEN -technickaliteratura,

Praha 1999.

P. Neumann, J. Uhlíř, Elektronickéobvodyafunkčníbloky1, skriptumČVUT(2005).

H. FRISCH, Základyelektronikya elektronickýchobvodů, SNTL Praha 1987.

P. Horowitz, W. Hill, The art of Electronics, Third edition, Cambridge University

Press, 1980, 1989, 2015.

Richard. C. Dorf, et. al., The electrical engineering handbook, Electronics,

Power Electronics,Optoelectronics, Microwaves, Electromagnetics, and Radar

Third edition, Taylor & Francis (2006).

Donald A. Neamen, Microelectronics Circuit Analysis and Design, Published by

McGraw-Hill

(2010).