Osnova sekce

    • Téma se týká konstrukce a funkce vysokofrekvenčních zesilovačů. Probíraná látka bude diskutovat typická zapojení a náhradní schémata typických  vysokofrekvenčních zesilovačů. Podrobněji budou probírány funkce a zapojení bipolárního, JFET, MOSFET, CMOS tranzistorů. Téma také podrobně diskutuje rozdělenmí RF zesilovačů do jednotlivých tříd podle účinnosti.

      Literatura:

       - P. Neumann, J. Uhlíř, Elektronické obvody a funkční bloky 1. Skriptum ČVUT (2005).

       - P. Neumann, J. Uhlíř, Elektronické obvody a funkční bloky 2. Skriptum ČVUT (2005).

      Doplňující literatura:

       - M. Mikulec, V. Havlíček, Basic Circuit Theory. Skriptum ČVUT (2005).

       - B. Syrovátka, Výkonová radiotechnika. SkriptumČVUT (1997).

    • Téma bude probírat funkci a základní principoy činnosti jednobranných a vícebranných oscilátorů. V tématu bude také podrobně probrána funkce Gunovy diody, tunelové diody, krystalových oscilátorů jakožto zdrojů přesné vysoké frekvence až do desítek GHz.

      Literatura:

       - J. Vrba, Úvod do mikrovlnné techniky. Skriptum ČVUT (2003).

      Doplňující literatura:

       - J. Dobeš, V. Žalud, Moderní radiotechnika. BEN (2005).

    • V tématu bude podrobně uveden popis činnosti a základních zapojení (i náhradních) IGBT spínacích tranzistorů. Dále se zde budeme věnovat technologii výroby těchto polovodičových součástek. Téma se bude také zabývat využitím IGBT tranzistorů v různých spínacích zdrojích a elektronických spínačích.

      Literatura:

       - B. Syrovátka, Výkonová radiotechnika. Skriptum ČVUT (1997).

      Doplňující literatura:

       - M. Mikulec, V. Havlíček, Basic Circuit Theory. Skriptum ČVUT (2005).

    • Téma se bude detailně zabývat teorií oscilačních obvodů. Bude podrobně diskutován teoretický popis odporu, kapacitance a induktance ve vysokofrekvenčních obvodech. Téma bude obsahovat typická zapojení a výpočty jednotlivých pasivních obvodů. Dále se budeme zabývat řešením lineárních obvodů a jejich praktických aplikací. V tématu bude také podrobně vysvětlena teorie fázorů a zobrazení impedancí v komplexní rovině. V tématu se také zaměříme na konstrukci a příklady zapojení rezonančních obvodů.

      Literatura:

       - M. Mikulec, V. Havlíček, Basic Circuit Theory. Skriptum ČVUT (2005).

      Doplňující literatura:

       - WWW skripta "Vysokofrekvenční elektrotechnika„ (http://lucy.troja.mff.cuni.cz/~tichy/vfel/index.html).

       - B. Sedlák, I. Štoll, Elektřina a magnetismus. Academia, Praha (2003).

       - Seriál na pokračování: Antény a impedance. http://ok2buh.nagano.cz/first/impedance.html.

    • V tématu bude podrobně probírána teorie vysokofrekvenčního vedení. Budeme se azbývat výpočtem parametrů vedení. Na ilustrativních příkladech bude vysvětlen Smithův diagram a pomocí něho budou řešeny typické úlohy z vysokofrekvenční techniky. Bude vysvětlena teorie směrových vazebních článků. Dále bude diskutováno koaxiální vedení a vlnovody. Budou odvozeny jejich základní impedanční vlastnosti.

      Literatura:

       - J. Vrba, Úvod do mikrovlnné techniky. Skriptum ČVUT (2003).

       - WWW skripta "Vysokofrekvenční elektrotechnika„ (http://lucy.troja.mff.cuni.cz/~tichy/vfel/index.html).

      Doplňujici literatura:

       - K. Hoffmann, Planární mikrovlnné obvody. Skriptum ČVUT (2000).

       -